بررسی اثرات شناور و پونیزاسیون ضربه ای در ترانزیستور های SOI

بررسی اثرات شناور و پونیزاسیون ضربه ای در ترانزیستور های SOI

مقدمه: كاهش ابعاد افزاره ها در فناوري MOS منجر به بروز مشكلاتي در طراحي مدارهاي مجتمـع مـيشود.استفاده از فناوري1 SOI موجب ميگردد، مدارهاي مجتمع عملكرد بهتـري نسـبت بـه فنـاوري سيلسـيمي داشته باشند. در فناوري SOI ترانزيستورها بر روي لايه اكسيد مدفون كه خود نيز بر روي...