بررسی اثرات شناور و پونیزاسیون ضربه ای در ترانزیستور های SOI

بررسی اثرات شناور و پونیزاسیون ضربه ای در ترانزیستور های SOI

مقدمه: کاهش ابعاد افزاره ها در فناوری MOS منجر به بروز مشکلاتی در طراحی مدارهای مجتمـع مـیشود.استفاده از فناوری1 SOI موجب میگردد، مدارهای مجتمع عملکرد بهتـری نسـبت بـه فنـاوری سیلسـیمی داشته باشند. در فناوری SOI ترانزیستورها بر روی لایه اکسید مدفون که خود نیز بر روی...